Kvantni magneti sobne temperature mijenjaju stanja bilijune puta u sekundi.
Klasa trajnih memorijskih uređaja, nazvanih MRAM, temeljena na kvantnim magnetskim materijalima, može ponuditi tisuću puta veću izvedbu od trenutnih najsuvremenijih memorijskih uređaja. Prethodno je dokazano da materijali poznati kao antiferomagneti pohranjuju stabilna memorijska stanja, ali ih je bilo teško čitati. Nova studija japanskih znanstvenika sa Sveučilišta u Tokiju utire učinkovit način za čitanje stanja memorije, s potencijalom da se i to učini nevjerojatno brzo.
Trenutačni MRAM čipovi velike brzine, koji još nisu toliko uobičajeni da bi se pojavili u vašem kućnom računalu, koriste tipične magnetske ili feromagnetske materijale. Oni se očitavaju pomoću tehnike koja se naziva tuneliranje magnetskog otpora. To zahtijeva da se magnetski sastojci feromagnetskog materijala poredaju paralelno. Međutim, ovaj raspored stvara jako magnetsko polje koje ograničava brzinu kojom se iz memorije može čitati ili pisati.
“Napravili smo eksperimentalni napredak koji nadilazi ovo ograničenje, a to je zahvaljujući drugoj vrsti materijala, antiferomagnetima“, rekao je profesor Satoru Nakatsuji s Odsjeka za fiziku Sveučilišta u Tokiju.
Cijeli članak možete pročitati na: vidi.hr
Foto: Pixabay